金属间化合物的物理和化学性质受合成材料的实际结构支配，并受到结构缺陷(例如应变，位错和混合相的存在)的强烈影响。这导致已知和广泛研究的材料的报告不一致。

这些化合物中有TaGeIr，它以MgAgAs型结构结晶。为了了解有关TaGeIr的报道相互矛盾的原因，MPI CPfS和西北大学的科学家研究了晶体结构与理想MgAgAs模型的偏差，化学计量失准(均质范围的存在)，合成路线对真实M影响的影响TaGeIr的结构和金相特征。

这项全面研究的结果是，发现TaGeIr标本中少数相的存在(由于三元体系中的相平衡，即使经过长时间的热处理也无法完全均质化)会导致外在的金属行为以及外观低温下的超导性 为了研究TaGeIr的内在特性，应用了微型器件的制造，并最终确定了TaGeIr的半导体性能。

TaGeIr的半导体性质与电子能带结构计算相符，仅在杂原子位点具有铱原子的MgAgAs型结构的情况下，才显示出带隙的存在。后者与单晶衍射研究一致。

位于德累斯顿的马克斯·普朗克固体化学物理研究所(MPI CPfS)的研究旨在发现和理解具有不同寻常性质的新材料。

在密切合作下，化学家和物理学家(包括从事合成工作的化学家，实验家和理论家)使用最现代的工具和方法来检查原子的化学组成和排列以及外力如何影响磁，电子和化学性质的化合物。

这种跨学科合作的结果是新的量子材料，物理现象和能量转换材料。