三星宣布，它的目标是到2027年开始制造1.4nm半导体芯片。该公司周一在美国圣何塞举行的年度三星铸造论坛活动中公布了路线图。这家韩国巨头最近开始大规模生产3nm工艺技术，此前曾透露计划到2025年转向2nm。

三星公布其先进的半导体生产路线图

三星是世界上最大的半导体公司之一。虽然其内部的 Exynos 智能手机处理器因热管理和电池效率不佳而臭名昭著，但该公司在大多数其他半导体领域都享有良好的声誉。它是世界上最大的存储芯片制造商。该公司还经营代工业务，为其他公司制造半导体芯片。

今年早些时候，三星开始制造3nm芯片(3GAE)，成为世界上第一家这样做的代工厂。该公司在这些解决方案中采用了栅极全能(GAA)晶体管架构。新架构比其4nm或更大芯片所基于的FinFET(鳍场效应晶体管)架构带来了性能和功耗改进。GAA晶体管架构还允许使用更小的芯片。

在接下来的几年中，三星将提高其3nm GAA解决方案的性能和能效。它计划在2024年推出第二代3nm芯片(3GAP)，并在2025年推出Plus迭代(3GAP +)。该公司正在吹捧第二代解决方案比第一代解决方案小20%，从而允许更小，更节能的芯片。

三星到2025年生产2nm芯片，到2027年生产1.4nm芯片

除了改进其现有解决方案外，三星还将致力于更先进的半导体芯片。如前所述，该公司已经透露，到2025年将配备2nm芯片。它现在已经宣布，这些芯片将具有背面供电功能。目前，半导体芯片中的晶体管只能通过芯片的一侧接收功率或进行通信。这项新技术将使两侧同时供电和通信成为可能。它将带来实质性的性能提升。

2026年，三星计划推出其第二代2nm芯片，随后在2027年推出1.4nm解决方案。到这个时候，其先进半导体的产能将比今年增长三倍以上。该公司没有透露这些先进的解决方案将带来哪些改进，但随着半导体尺寸的缩小，您可以期待更多的性能和功耗改进。

在最近结束的三星代工论坛活动中，该公司还宣布正在改进2.5D/3D异构集成封装技术。它将在2024年开始批量生产具有微凸点互连的3D包装X-Cube。无颠簸的X-Cube将于2026年上市。

三星也在改进其汽车和电信解决方案

三星还为汽车客户提供嵌入式非易失性存储器(eNVM)解决方案。其目前的产品基于28nm技术。该公司计划到2024年(通过)转向14eNVM解决方案。在电信领域，三星正在开发5nm RF(射频)芯片。它已经从14nm转向8nm RF解决方案。

“随着高性能计算(HPC)，人工智能(AI)，5/6G连接和汽车应用的显着市场增长，对先进半导体的需求急剧增加，使得半导体工艺技术的创新对代工厂客户的业务成功至关重要，”三星在一份新闻稿中表示。