在纽约举行的一次活动中，高通公布了其充电技术的最新发展：快速充电4.0。基于之前快充技术的成功，快充4.0承诺提供更快的充电时间和更高的效率水平，让移动消费者花在墙上的时间更少。

高通发现，人们在寻找新智能手机时最关注的四个问题中，有三个与电池容量或电池充电速度有关。他们的目标是通过使用Quick Charge 4.0继续提升自己强大的市场地位。超过150家公司支持快速充电，这有助于缓解这些担忧。

高通快充4.0快充4.0宣称使用高通骁龙835芯片的旗舰智能手机，充电时间仅需5分钟，使用时间可延长5小时，而高通则将其提升至“5比5”。高通声称，快速给手机充电只需15分钟，可达到电池容量的50%。

与Quick Charge 3.0相比，高通再次改进了其Dual Charge并行充电技术(现在称为“Dual Charge”)，在最高温度为5摄氏度时，充电速度最高可提升20%，效率最高可提升30%。超越了以前的技术。

快速充电4.0还有高通INOV(最佳电压智能协商)电源管理算法的第三个版本。这个版本的INOV包括实时热管理，高通称之为技术行业的第一。INOV 3.0侧重于通过确定和选择当前热条件下的最佳功率传输水平来优化。

Fast Charge 4.0的主要重点是提高安全性和保护功能，并增加了几个额外的保护层，有助于防止电池过度充电。Quick Charge 4.0保留了三层过压保护、三层过流保护、四层过温保护等多项现有功能，并为其增加了新的功能，例如能够检测电压变化。所用电缆的质量和状况。

不过，最重要的变化之一是增加了与USB Power Delivery(USB PD)的兼容性，这来得正是时候，遵循了谷歌的“强烈建议”，即设备只支持新安卓7.0兼容性文档中充电与USB PD兼容的方法(有一点暗示谷歌“未来可能需要所有C型设备支持与标准C型充电器的完全互操作性”)。

为了获得最佳的QC 4.0性能，高通还推出了两款新的电源管理IC，即SMB1380和SMB1381。这些PMIC专为低阻抗设计，峰值效率高达95%，并支持电池差分检测等高级功能。SMB3180/1将于2016年底上市。

从高通骁龙835开始，下一代高通骁龙处理器将采用高通的Quick Charge 4.0快充技术。Snapdragon 835预计将于2017年上半年在商业设备上发布。