在过去的几年里，英特尔在消费者处理器领域的衰落变得非常明显，这可能导致领导层发生变化，包括聘请了新的CEO Pat Gelsinger。该公司一直在内部进行多项变革，旨在让英特尔重回巅峰，在今天的 Accelerated 网络广播中，他们透露了 2025 年及以后的工艺和封装创新路线图。

英特尔正在采用一种新的节点命名方案，他们认为该方案更准确，更能代表半导体晶体管技术的进步。与传统的基于纳米的工艺节点命名不同，英特尔为即将到来的节点引入了以下名称：

Intel 7 – 基于 FinFET 晶体管优化，与 Intel 10nm SuperFin 相比，每瓦性能提高了大约 10% 到 15%。将出现在 2021 年面向客户的 Alder Lake 和面向数据中心的 Sapphire Rapids 等产品中。预计将于 2022 年第一季度投产。

Intel 4 – 使用 EUV 光刻。大约 20% 的每瓦性能提高，以及面积改进。2022 年下半年开始生产，2023 年出货的产品，包括客户的 Meteor Lake 和数据中心的 Granite Rapids。

英特尔 3 – 进一步的 FinFET 优化和增加的 EUV 使每瓦性能比英特尔 4 提高了约 18%。 将准备在 2023 年下半年开始制造产品。

Intel 20A – RibbonFET 技术提供更快的晶体管开关速度，同时在更小的占位面积中实现与多个鳍片相同的驱动电流。PowerVia 是业界首创的背面供电实现，通过消除晶圆正面的电源布线需求来优化信号传输。预计在 2024 年推出。将为高通制造芯片。

英特尔 18A – 已在 2025 年初开发，对 RibbonFET 进行了改进，这将带来晶体管性能的又一次重大飞跃。英特尔正与 ASML 密切合作，以确保这一行业突破超越当前一代 EUV 取得成功。

Amazon AWS 将与 Intel Foundry Services 合作使用 Intel 的封装解决方案，但 Intel 不会直接制造芯片。

借助英特尔 20A，该公司计划推出其 RibbonFET 和 PowerVia 技术。

RibbonFET 将是他们实现的环栅晶体管，而 PowerVia 是英特尔独特的业界首创的背面供电实现。

最后，英特尔公布了 Foveros 芯片堆叠封装技术的两项重大更新，即 Foveros Omni 和 Foveros Direct。前者将允许灵活的性能 3D 堆叠技术用于芯片到芯片互连和模块化设计，而后者则转向直接铜对铜键合用于低电阻互连，并模糊了晶圆末端和晶圆末端之间的界限。包开始。