华为计划新的芯片制造技术旨在降低啁啾频率
2021-07-08 09:24:47
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导读 2021年7月6日,华为公开了一项与激光芯片相关的新专利,公开号为CN113054528A。根据信息,该公司于 2019 年 12 月 12 日申请了该专利
2021年7月6日,华为公开了一项与激光芯片相关的新专利,公开号为CN113054528A。根据信息,该公司于 2019 年 12 月 12 日申请了该专利。
专利信息显示,华为计划探索AI芯片产业,为我们提供更多具有高性能计算能力的增强设备已经很久了。
回到专利描述,该激光芯片中的模块将由以下组件组合而成。
激光芯片主体
DML区(直调激光)
MZI滤波面积(马赫-曾德尔干涉仪)
隔离区
顾名思义,隔离区放置在DML和MZI之间,作为分隔它们的中途。而 DML 将用作光源,而 MZI 过滤器用于创建过滤效果。
此外,MZI 过滤区至少包含一个 MZI。而DML区和MZI滤波器区以单片集成布局存在于芯片中。
整个装置的主要目的是通过组合模块上的 DML 区域和 MZI 滤波器区域来提供较小的激光啁啾频率并放大信号广播措施。
此外,此前有报道透露,华为将在武汉建立其第一家晶圆制造制造公司。预计明年开始生产。此外,该公司正在招聘有才华的工程师进行不同地点的芯片开发。
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